| 专利名称 | 一类二羰基桥连吡咯并吡咯二酮聚合物及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201610245028.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105837799A | 公开（授权）日 | 2016.08.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 张卫锋;毛祖攀;郑乃杭;陈智慧;于贵 | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 专利有效期 | 一类二羰基桥连吡咯并吡咯二酮聚合物及其制备方法与应用 至一类二羰基桥连吡咯并吡咯二酮聚合物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明公开了一种二羰基桥连吡咯并吡咯二酮聚合物及其制备方法与应用。该二羰基桥连吡咯并吡咯二酮聚合物结构式如式Ⅰ所示。上述式Ⅰ中，R选自下述任意一种：C5?C80(优选C5?C50)的直链或支链烷基，n为聚合度为5?200。本发明还提供式Ⅰ所示聚合物的制备方法。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，宜于大规模合成。以本发明的二羰基桥连吡咯并吡咯二酮聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，迁移率为0.54cm2V?1s?1，开关比大于106。本发明的聚合物在有机场效应器件中有良好的应用前景。 |
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