一种在石墨基底上构筑金属有机框架薄膜的方法

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专利名称 一种在石墨基底上构筑金属有机框架薄膜的方法 申请号 CN201610249178.9 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN105826170A 公开(授权)日 2016.08.03 申请(专利权)人 中国科学院新疆理化技术研究所 发明(设计)人 王富;王传义;王熠 主分类号 H01L21/02(2006.01)I IPC主分类号 H01L21/02(2006.01)I 专利有效期 一种在石墨基底上构筑金属有机框架薄膜的方法 至一种在石墨基底上构筑金属有机框架薄膜的方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种在石墨基底上构筑金属有机框架薄膜的方法,该方法首先采用在石墨基底上由4,4’?二十四基?2,2’?联吡啶通过分子自组装法得到晶型结构Ⅰ的自组装膜,然后,分别采用醋酸锌和醋酸铜溶液,用原位滴加的方法得到晶型结构Ⅱ和晶型结构Ⅲ的金属有机框架薄膜,所用的4,4’?二十四基?2,2’?联吡啶溶液的浓度低;所用的高定向裂解石墨是由石墨烯层堆叠的,表面平整,用透明胶带按在表面剥离即可得到干净的石墨表面,易清洁可多次利用;温度条件温和;金属有机框架薄膜的晶型结构可按需求调节。通过本发明所述方法制备的石墨为基底的金属有机框架薄膜成膜均匀,缺陷少,操作简单,可用于光电分子传感器等领域。

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