| 专利名称 | 金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座 | 申请号 | CN201610320424.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105803425A | 公开（授权）日 | 2016.07.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘双韬;赵德刚;陈平;朱建军;刘宗顺 | 主分类号 | C23C16/458(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/458(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I | 专利有效期 | 金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座 至金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座，包括：一圆盘状的反应基座，该反应基座上开有三个圆形凹槽，该圆形凹槽边缘为圆弧过渡结构，该反应基座中心处存在一个圆弧脊形过渡结构，使得反应基座表面中心处高于其他部分，该反应基座的材料为镀有一层碳化硅的石墨。本发明可以提高MOCVD沉积薄膜的质量，提高外延薄膜的均匀性。 |
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