| 专利名称 | 一种光电化学分解水的GaN:ZnO光阳极的制备方法 | 申请号 | CN201510392338.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106319557A | 公开（授权）日 | 2017.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 李灿;王志亮;韩晶峰;宗旭 | 主分类号 | C25B11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C25B11/00(2006.01)I;C25B1/04(2006.01)I;H01L31/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种光电化学分解水的GaN:ZnO光阳极的制备方法 至一种光电化学分解水的GaN:ZnO光阳极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及以ZnO和Ga2O3粉末为前驱体、导电材料为基底，在水汽辅助条件下，氮化合成高效GaN:ZnO电极。在水汽辅助下，采用高温原位氮化，制得多孔的GaN:ZnO光阳极。并且作为光活性层的GaN:ZnO晶粒之间以及晶粒与衬底都具有良好的接触。在AM1.5G模拟太阳光条件下，当施加的偏压为1.23V(相对于标准氢电极)，在0.5mol/L?K3PO4水溶液中可以获得1.16mA/cm2的光电流响应。不同于已公开报道的GaN:ZnO光阳极，该电极的制备方法简便可控，并且可以获得高的光电分解水性能。该光电极还可用于光电化学分解水制氢、生物质转化以及光电化学有机合成等用途。 |
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