| 专利名称 | 大气压弥散放电装置及金属表面沉积类SiO2薄膜方法 | 申请号 | CN201610515047.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106011786A | 公开（授权）日 | 2016.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 邵涛;李文耀;王瑞雪;任成燕;严萍;章程 | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/515(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I | 专利有效期 | 大气压弥散放电装置及金属表面沉积类SiO2薄膜方法 至大气压弥散放电装置及金属表面沉积类SiO2薄膜方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种大气压弥散放电装置及金属表面沉积类SiO2薄膜方法。一种大气压弥散放电装置，包括：针电极，其竖直放置，所述针电极的顶端连接高压脉冲电源；金属基底，设于所述针电极的下方，所述金属基底接地；混气室，其设于所述金属基底的一端上方，所述混气室一侧设有气体喷口，且所述气体喷口朝向所述沉积区域；所述混气室呈圆筒状或立方体状，由绝缘材料制成；所述混气室通过混合气体输出管连接气体鼓泡装置。本发明装置简单、操作方便，可在室温、大气环境等相对简单的条件下在金属表面获得范围较大且较为均匀的放电等离子体，改善了传统放电形式沉积薄膜范围小、均匀性差的缺点。 |
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