| 专利名称 | 多晶硅晶面指数的检测方法和检测装置 | 申请号 | CN201610395946.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105938137A | 公开（授权）日 | 2016.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈全胜;刘尧平;杨丽霞;陈伟;吴俊桃;杜小龙 | 主分类号 | G01N33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N33/00(2006.01)I | 专利有效期 | 多晶硅晶面指数的检测方法和检测装置 至多晶硅晶面指数的检测方法和检测装置 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种多晶硅晶面指数的检测方法和检测装置，所述检测方法包括下列步骤：1)利用表面形貌分析技术获得经各向异性制绒后的多晶硅表面的凹坑的形貌；2)确定所述凹坑的形貌的截面图；3)根据所述截面图确定所述多晶硅表面的晶面指数。本发明的检测方法对晶粒的尺寸并没有限制，检测的成本低，可根据凹坑的形状直观地、准确地获得晶面指数，检测速度快、效率高。 |
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