| 专利名称 | 一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法 | 申请号 | CN201610450846.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105926034A | 公开（授权）日 | 2016.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 孟祥敏;黄兴 | 主分类号 | C30B23/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/50(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I | 专利有效期 | 一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法 至一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法，包括如下步骤：将CdS或CdSe固体放入衬底上，然后将所述衬底置于管式炉的高温加热区；对放入衬底的管式炉抽真空并通入保护气体，然后将所述管式炉升温，并将所述管式炉内压强保持在10?2000Pa，进行反应0.1?2h，反应结束后使所述管式炉自然降温至室温。该制备方法造价低廉、可控性强、步骤简单；本发明制备的CdS单晶纳米线阵列和CdSe单晶纳米线阵列排列整齐、晶体取向一致、结晶度高、缺陷低，表现出优异的光电性质。在纳米光电子器件、太阳能电池、光催化和生物传感等方面具有非常重要的研究价值和应用前景。 |
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