| 专利名称 | 高低温相硼酸锶镉晶体及制备方法和用途 | 申请号 | CN201410735826.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105714376A | 公开（授权）日 | 2016.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘世烈;张兴文;吴红萍 | 主分类号 | C30B29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/10(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 高低温相硼酸锶镉晶体及制备方法和用途 至高低温相硼酸锶镉晶体及制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及大尺寸高低温相硼酸锶镉晶体及制备方法和用途。该大尺寸高低温相晶体的化学式为SrCdB2O5，分子量301.64，低温相SrCdB2O5属正交晶系，空间群Pbca，晶胞参数为a=11.955(12)?，b=5.762(6)?，c=12.658(12)?，V=872.0(15)?3；高温相晶体属单斜晶系，空间群C2/c，晶胞参数为a=7.639(7)?，b=10.183(10)?，c=11.140(10)?，β=99.247(10)°，V=855.2(14)?3。采用高温熔液法生长晶体，该硼酸锶镉晶体机械硬度大，易于切割、抛光加工和保存，并且存在负热膨胀性，相变时体积负突变，高温相SrCdB2O5密度大于低温相SrCdB2O5密度，由于这一性质，在制备热敏器件以及零膨胀材料中得到广泛应用。 |
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