| 专利名称 | 解决电子束沉积多层膜龟裂的临界层应力的调控方法 | 申请号 | CN201710380376.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107099772A | 公开（授权）日 | 2017.08.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 朱美萍;曾婷婷;易葵;柴英杰;许诺;孙建;王建国;邵建达 | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23C14/30(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 专利有效期 | 解决电子束沉积多层膜龟裂的临界层应力的调控方法 至解决电子束沉积多层膜龟裂的临界层应力的调控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种解决电子束沉积多层膜龟裂的临界层应力的调控方法，综合采用电子束沉积技术和离子束辅助沉积技术，采用离子束辅助沉积技术沉积应力临界层，采用电子束沉积技术沉积应力临界层之外的其他膜层。本发明能够解决电子束沉积较厚膜层时，因膜层张应力太大导致的膜层龟裂问题，且不会增加膜系设计难度和实际制备工艺难度。 |
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