| 专利名称 | 硅镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法 | 申请号 | CN201610524103.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106048725A | 公开（授权）日 | 2016.10.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 陈建玉;侯晴;齐红基;韩和同;宋朝辉;张侃 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 硅镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法 至硅镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种硅镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法，硅和镱离子共掺YAG晶体的化学式为：Yb3xY3(1?x)Si5yAl5(1?y)O12，式中x＝0.05～0.3,y＝0.0001～0.01，x为基质Yb离子的掺杂量，y为Si离子的掺杂量，Yb离子进入晶体取代Y离子格位，Si离子取代Al离子格位。本发明制备的Yb3xY3(1?x)Si5yAl5(1?y)O12超快闪烁晶体具有光产额高、抗辐照损伤强等优点，可应用于超快脉冲辐射探测、惯性约束核聚变、空间辐射探测、核反应动力学研究等领域。 |
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