| 专利名称 | 图形化石墨烯及其制备方法 | 申请号 | CN201610270900.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105948023A | 公开（授权）日 | 2016.09.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张大勇;金智;史敬元;彭松昂 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 图形化石墨烯及其制备方法 至图形化石墨烯及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种图形化石墨烯及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：采用光刻工艺在亲水性衬底的表面形成具有镂空结构的光刻胶层；利用氧化石墨烯溶液对镂空结构进行填充，并对镂空结构中的部分氧化石墨烯溶液进行干燥处理，形成固态氧化石墨烯；去除光刻胶层；对固态氧化石墨烯进行还原，得到图形化石墨烯。上述制备方法工艺简单，不仅避免了其它制备方法带来的石墨烯表面污染问题，还能够通过选择氧化石墨烯水溶液的浓度实现对石墨烯薄膜厚度的控制，从而能够适用于石墨烯器件中导电沟道的制备，以及电路中的石墨烯电互连的实现。 |
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