| 专利名称 | 一种双色探测器的制备方法及双色探测器 | 申请号 | CN201410747527.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105742400A | 公开（授权）日 | 2016.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 谭明;陆书龙;吴渊渊;代盼;季莲 | 主分类号 | H01L31/111(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/111(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种双色探测器的制备方法及双色探测器 至一种双色探测器的制备方法及双色探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种双色探测器的制备方法，包括：S1、在InP衬底上依次倒置生长p-InP帽层、PIN型InGaAsP层、PIN-IP型InGaAs层和p+InP型键合层形成探测器外延层；S2、在n型GaAs衬底上依次生长GaAs/AlGaAs层和n+GaAs键合层形成分布式布拉格反射器外延层；S3、将探测器外延层与分布式布拉格反射器外延层进行键合；S4、剥离InP衬底；S5、台面刻蚀以及电极制作形成探测器，并在探测器表面制备TiO2/SiO2增透膜。本发明还提供了一种双色探测器。 |
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