| 专利名称 | 一种刺激响应柔性微电极阵列 | 申请号 | CN201720573335.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207091329U | 公开（授权）日 | 2018.03.13 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 杜学敏;崔欢庆 | 主分类号 | C08F220/54(2006.01)I | IPC主分类号 | C08F220/54(2006.01)I;C08F222/38(2006.01)I;C08F220/28(2006.01)I;C08F220/06(2006.01)I;C08L33/24(2006.01)I;C08L33/14(2006.01)I;C08L33/12(2006.01)I;C08L5/12(2006.01)I;C08K3/08(2006.01)I;C08K3/22(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;C08K7/24(2006.01)I;A61N1/05(2006.01)I | 专利有效期 | 一种刺激响应柔性微电极阵列 至一种刺激响应柔性微电极阵列 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种刺激响应柔性微电极阵列，包括柔性基底，设置在所述柔性基底一侧的电极结构，以及设置在所述柔性基底另一侧的刺激响应层，所述刺激响应层为可变形的刺激响应材料层。该微电极阵列在温度、光、磁、电、湿度、pH外界刺激条件下，可由平面二维结构转变成三维结构，且进一步通过调节刺激响应层的厚度或交联度等即可实现对传统平面柔性微电极阵列的可控塑形与曲率精准调控。 |
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