| 专利名称 | 一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层 | 申请号 | CN201611153882.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106601839A | 公开（授权）日 | 2017.04.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 马英杰;顾溢;张永刚 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层 至一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，所述缓冲层包含N个层厚相同的周期性过渡层，每个周期内均包含A、B两层材料，且A、B材料的厚度比从N:1依次递变到1:N。本发明利用啁啾数字递变的周期性界面对位错缺陷传递的阻挡效应，实现异变缓冲层表面附近缺陷密度的显著降低，材料结晶质量显著提高，且具有可同时实现晶格和能带双过渡的功能；有望广泛应用于提升Si、GaAs、InP、GaSb等衬底上的异质失配结构激光器、探测器的器件性能。 |
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