| 专利名称 | 空穴型半导体电控量子点器件和装置 | 申请号 | CN201720754015.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207068864U | 公开（授权）日 | 2018.03.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 李海欧;袁龙;王柯;张鑫;郭光灿;郭国平 | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 专利有效期 | 空穴型半导体电控量子点器件和装置 至空穴型半导体电控量子点器件和装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了空穴型半导体电控量子点器件。其包含非掺杂GaAs衬底(101)、非掺杂AlGaAs层(102)和表面非掺杂GaAs盖帽层(103)；欧姆接触源极(201)和漏极(204)，依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层(103)和非掺杂AlGaAs层(102)，进入非掺杂GaAs衬底(101)至少5nm；至少两个量子点小电极(402)，位于欧姆接触源极(201)和漏极(204)之间，处于表面非掺杂GaAs盖帽层上(103)；绝缘层(500)，覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层(103)、量子点小电极(402)、以及欧姆接触源极(201)和漏极(204)的至少一部分；和栅极纳米条带(602)，设置在绝缘层(500)上，并且水平投影与欧姆接触源极(201)、漏极(204)以及量子点小电极(402)均有交叠。还公开了一种量子点装置。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障