| 专利名称 | 半导体激光器的封装结构 | 申请号 | CN201720603640.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207009892U | 公开（授权）日 | 2018.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 李丰;黄伟;张巍巍;杨立梅 | 主分类号 | H01S5/024(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/024(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体激光器的封装结构 至半导体激光器的封装结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种半导体激光器的封装结构，其包括热沉、设置于所述热沉顶部的导电层及设置于所述导电层上的半导体激光器和过渡电极，所述半导体激光器、所述过渡电极均与所述导电层电性连接，所述热沉包括第一导热层、第二导热层及位于所述第一导热层与所述第二导热层之间的至少一层第三导热层。本实用新型提供的半导体激光器的封装结构包括热沉，所述热沉包括第一导热层、第二导热层及位于所述第一导热层与所述第二导热层之间的至少一层第三导热层，通过所述热层可以有效的对半导体激光器进行散热，提升半导体激光器的性能。 |
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