| 专利名称 | 基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器 | 申请号 | CN201720838173.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN207009460U | 公开（授权）日 | 2018.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 胡伟达;龚帆;骆文锦;王鹏;龙明生;陈效双;陆卫 | 主分类号 | H01L31/108(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/108(2006.01)I;H01L31/0264(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器 至基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器。器件制备步骤是将二硫化钼大片晶体运用机械剥离的方法，通过胶带转移到PDMS,然后利用定点转移技术，把PDMS上的二硫化钼转移到金底电极的正上方，然后使用电子束曝光和磁控溅射等工艺制作ITO顶电极，制备成具有垂直结构的二维材料近红外探测器。利用二硫化钼和金形成的肖特基结，从而显著降低了探测器的暗电流和加速光生载流子的分离来增强了器件的响应速度，大幅提高了器件的零偏压的情况下信噪比和探测能力。二硫化钼垂直肖特基结近红外探测器在近红外及可见光波段均显示了超高的探测能力。本专利的优点是响应速度快，暗电流低和功耗小。 |
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