| 专利名称 | 一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法 | 申请号 | CN201510598628.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106549077A | 公开（授权）日 | 2017.03.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 郭丽伟;陈小龙;黄郊;史哲 | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 专利有效期 | 一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法 至一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种光电二极管装置，包括光源和整流结构，所述整流结构包括高阻光增益半导体衬底，位于所述高阻光增益半导体衬底上的石墨烯层，位于所述高阻光增益半导体衬底和所述石墨烯层上的第一ITO电极和第二电极，其中，所述第一ITO电极和所述第二电极分别一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触，另一部分与所述石墨烯层接触，以及其中：i)所述光源发射的光的能量大于所述高阻光增益半导体衬底的带隙，且所述光源仅辐照第一ITO电极；ii)所述第一ITO电极的面积大于所述光源发射光的光斑面积。本发明的光电二极管装置为平面结构，光电响应速度高，在平面集成和微纳器件领域有潜在应用。 |
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