| 专利名称 | 一种碳炔薄膜及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201610473762.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106117521A | 公开（授权）日 | 2016.11.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 李玉良;贾志宇;刘辉彪 | 主分类号 | C08G61/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/04(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碳炔薄膜及其制备方法与应用 至一种碳炔薄膜及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明公开了一种碳炔薄膜及其制备方法与应用。该碳炔薄膜为由式I所示化合物构成的碳炔薄膜。该薄膜是由式II所示化合物通过Glaser?Hay偶联反应而得。本发明提供的制备碳炔薄膜的方法，工艺简便，能够在铜片或者铜薄膜层表面大面积制备碳炔薄膜，其电导率为1.4×10?2S/m，该薄膜表面均匀，可在空气中稳定存在，采用核磁碳谱、原子力显微镜和拉曼光谱对碳炔化合物的结构组成进行了分析，确定了碳炔的构成。同时，对碳炔薄膜的导电性进行了测量，发现其是一种与接近金属性能的半导体，在催化、电子、半导体、能源和材料等领域具有广阔的应用前景。 |
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