| 专利名称 | 一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法 | 申请号 | CN201610274475.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105870267A | 公开（授权）日 | 2016.08.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 訾慧;薛正群;苏辉;王凌华;林琦;林中晞;陈阳华 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I | 专利有效期 | 一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法 至一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种量子点超辐射发光二极管的制作方法，该方法包括以下步骤：一次外延生长步骤：采用MBE生长一次外延结构，其结构沿晶向依次包括N+?GaAs衬底层(1)、N?GaAs缓冲层(2)、N?AlGaAs覆盖层(3)、AlGaAs下限制层(4)、含多层InAs量子点的有源区(5)、AlGaAs上限制层(6)、P?AlGaAs覆盖层(7)、P?GaAs保护层(8)；形成脊形状的步骤；生长掩埋异质结的步骤；蒸发N、P型电极的步骤；镀膜步骤。本发明还提出了一种量子点超辐射发光二极管。本发明提出的超辐射发光二极管芯片具有高功率、宽光谱输出、低抖动的优点。 |
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