| 专利名称 | 半导体器件 | 申请号 | CN201410812062.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105789365A | 公开（授权）日 | 2016.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;贾云丛;袁烽;陈大鹏 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件 至半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法和操作方法，将低温TFT集成在硅基二极管阵列中，以形成在片的信号处理和放大电路，这样，可以即时地放大由PIN二极管获取的微弱电信号，抑制噪声，提高灵敏度；同时，通过低温TFT在片放大信号，可以降低铟柱封装引线中的寄生电容的影响；另外，低温TFT的工艺对硅基二极管像素单元的探测灵敏度没有影响，也不影响到后续的铟柱倒装焊的封装工艺。 |
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