| 专利名称 | 一种去除金属纳米线表面有机物及氧化层的方法 | 申请号 | CN201410723389.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105710082A | 公开（授权）日 | 2016.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 王冉冉;孙静;高濂 | 主分类号 | B08B7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B08B7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种去除金属纳米线表面有机物及氧化层的方法 至一种去除金属纳米线表面有机物及氧化层的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种去除金属纳米线表面有机物及氧化层的方法，所述方法是对金属纳米线或金属纳米线集合体进行常压等离子体处理，以除去金属纳米线表面的有机物和氧化层，其中等离子体气氛为氢气或氢气与惰性气氛的混合气，等离子体处理温度为20～180℃。本发明采用常压等离子体处理除去金属纳米线表面的有机物和氧化层，且处理温度可低至室温，即本发明在常压、低温下即可实现金属纳米线表面有机物及氧化层的同时去除。 |
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