| 专利名称 | CVD生长多层异质结的装置 | 申请号 | CN201720679431.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN206940981U | 公开（授权）日 | 2018.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;肖明;郭光灿 | 主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/26(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 专利有效期 | CVD生长多层异质结的装置 至CVD生长多层异质结的装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种CVD生长多层异质结的装置，所述装置包括CVD生长腔室和传动装置，所述腔室底部载有基底铜箔，基底铜箔上方设有加热装置，从而在基底铜箔和加热装置之间形成高温生长区；所述传动装置设置在所述CVD生长腔室内，包括步进电机和传送带，所述传送带表面包裹有铜箔；其中，所述传送带与所述步进电机通过连接机构连接，从而所述传送带在步进电机的控制下旋转，包裹有铜箔的传送带穿过所述高温生长区。 |
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