| 专利名称 | 硅基单片集成激光器 | 申请号 | CN201720132168.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN206931836U | 公开（授权）日 | 2018.01.26 | 申请（专利权）人 | 上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心 | 发明（设计）人 | 仇超;龚谦;武爱民;高腾;盛振;甘甫烷;赵颖璇;李军 | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/323(2006.01)I;H01S5/32(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基单片集成激光器 至硅基单片集成激光器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种硅基单片集成激光器，包括：1）于SOI衬底表面制作图形掩膜；2）刻蚀顶层硅及埋氧化硅层，形成直至衬底硅的限向结构；3）于限向结构内生长Ge外延层；4）在Ge外延层上外延生长III?V族材料，控制Ge厚度和III?V族材料的厚度，使得III?V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。本实用新型利用SOI材料的底层硅作为衬底，通过Ge作为过渡层，实现III?V族材料的硅上直接外延工艺，设计Ge的厚度和III?V族材料的厚度，实现III?V族材料的发光层与顶层硅的对准，使得III?V族激光器和硅光子器件在高度方向上精确对准；通过光刻、刻蚀等工艺实现III?V族激光器与其他硅光子器件在水平方向上高精度对准。另外，本实用新型可提高激光器的热扩散性能。 |
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