基于量子阱带间跃迁的光电探测器

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专利名称 基于量子阱带间跃迁的光电探测器 申请号 CN201510404231.3 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN105720130A 公开(授权)日 2016.06.29 申请(专利权)人 中国科学院物理研究所 发明(设计)人 陈弘;王禄;贾海强;马紫光;江洋;王文新 主分类号 H01L31/12(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/12(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I 专利有效期 基于量子阱带间跃迁的光电探测器 至基于量子阱带间跃迁的光电探测器 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及基于量子阱带间跃迁的光电探测器。一种光电探测器可包括:第一半导体层,其具有第一导电类型;第二半导体层,其具有第二导电类型,所述第二导电类型不同于所述第一导电类型;以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的光子吸收层,所述光子吸收层包括至少一个量子阱层以及设置在每个所述量子阱层两侧的势垒层。本发明利用半导体PN结对量子阱参与的光电转换过程的调制作用,大幅度提升了基于量子阱材料的光电探测器的电流输出。

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