| 专利名称 | 大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源 | 申请号 | CN201611198585.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106601584A | 公开（授权）日 | 2017.04.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 汤洁;段忆翔;赵卫;王屹山;李静;张同意;王静 | 主分类号 | H01J49/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J49/10(2006.01)I;H01J49/20(2006.01)I | 专利有效期 | 大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源 至大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源，更大程度地提高了该类型离子源的电离效率、离子传输效率，以及工作的稳定性。该大气压磁增强与磁约束直流辉光放电离子源，在腔体轴向外围且更接近出气端口、避开直流放电电极设置有一对隔着腔体平行相对的长方体永久磁体，磁场B1覆盖直流放电区域，磁场B1方向与直流放电区域的电流J垂直，且J×B1沿气体流动方向；沿腔体轴向同轴依次设置有两个同规格的环形永久磁体，使得两个环形永久磁体形成匀强磁场B2覆盖直流放电区域以及出气端口下游的等离子体射流区域，匀强磁场B2方向与腔体以及环形永久磁体的轴向一致。 |
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