| 专利名称 | 一种CVD生长大面积石墨烯的规模化方法 | 申请号 | CN201510039352.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105883779A | 公开（授权）日 | 2016.08.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 任文才;马来鹏;成会明 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种CVD生长大面积石墨烯的规模化方法 至一种CVD生长大面积石墨烯的规模化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及石墨烯的制备技术，具体为一种CVD生长大面积石墨烯的规模化方法。该方法通过在CVD生长中采用生长基体与固相碳源交替堆叠的方式，提高单批次生长大面积石墨烯的产量。本发明使用平面结构的生长基体和可循环利用的固相碳源，将两者交替堆叠进行CVD生长，在生长基体的上下表面形成大面积石墨烯，并重复使用固相碳源。生长基体与固相碳源交替堆叠的方式，大幅提高了生长基体的单批次装载量，并实现了生长基体的上下表面均生长出高质量的大面积石墨烯，从而提高单批次生长石墨烯的产量。采用可循环利用的固相碳源可以避免因大量消耗高纯气相碳源造成的高生产成本，因此可作为一种低成本、高效率生产大面积石墨烯的规模化方法。 |
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