| 专利名称 | GaN基白光LED及制备方法 | 申请号 | CN201610374754.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105870287A | 公开（授权）日 | 2016.08.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 袁国栋;王乐;段瑞飞;李晋闽;王军喜;黄芳;吴瑞伟;王克超 | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | GaN基白光LED及制备方法 至GaN基白光LED及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n?GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n?GaN层台面另一侧的上面；一p?GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p?GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n?GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。 |
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