| 专利名称 | 一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀方法 | 申请号 | CN201610039854.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105742477A | 公开（授权）日 | 2016.07.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 周奇军;魏劲松;魏涛 | 主分类号 | H01L35/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/34(2006.01)I;H01L21/465(2006.01)I | 专利有效期 | 一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀方法 至一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀方法，包括以下步骤：在玻璃基片上用磁控溅射的方法镀上一层Sb2Te3热电材料薄膜；采用激光对所制Sb2Te3热电材料薄膜进行直写式激光曝光热作用；采用刻蚀液对激光热作用的薄膜进行选择性湿法刻蚀。本发明的湿法刻蚀方法，具有操作简单、成本低廉、刻蚀速率可控、刻蚀精度高等优点。该湿法刻蚀方法可以用于微纳结构制造，热传感器，热电制冷器件，太阳能电池，相变存储器等领域中的Sb2Te3微纳图形结构加工工艺，促进该热电薄膜在上述领域的应用。 |
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