| 专利名称 | 硅基Ge光探测器阵列 | 申请号 | CN201720132169.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN206849844U | 公开（授权）日 | 2018.01.05 | 申请（专利权）人 | 上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心 | 发明（设计）人 | 仇超;武爱民;盛振;高腾;甘甫烷;赵颖璇;李军 | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基Ge光探测器阵列 至硅基Ge光探测器阵列 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种硅基Ge光探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括：1）于硅衬底中形成N++型掺杂层；2）于N++型掺杂层表面形成本征Ge层；3）于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列；4）于各P+型掺杂区之间形成N+型掺杂区；5）于各P+型掺杂区及各N+型掺杂区表面形成上金属电极；6）于各P+型掺杂区之间刻蚀出深槽，形成隔离结构。实用新型通过在相邻硅基Ge光探测器之间形成深槽，切断相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基Ge光探测器阵列结构边缘的硅基Ge光探测器的光电流可以和位于硅基光Ge探测器阵列结构中心的硅基Ge光探测器的光电流相接近。 |
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