| 专利名称 | 一种二维半导体负电容场效应管 | 申请号 | CN201720603921.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN206789549U | 公开（授权）日 | 2017.12.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 王建禄;王旭东;孟祥建;沈宏;林铁;孙硕;孙璟兰;褚君浩 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L21/445(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二维半导体负电容场效应管 至一种二维半导体负电容场效应管 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种二维半导体负电容场效应管。器件结构自下而上依次为衬底、二维半导体、金属源漏电极、具有负电容效应的铁电栅电介质和金属栅电极。首先在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用电子束光刻技术结合剥离工艺制备金属源漏电极，在该结构上制备具有负电容效应的铁电薄膜，最后在该薄膜上制备金属栅电极，形成铁电调控的二维半导体负电容场效应器件结构。区别于其它二维半导体负电容场效应器件结构，该金属?铁电?半导体结构可实现高性能的负电容场效应器件。电学测试结果表明，此类器件的亚阈值摆幅远小于60mV/dec，突破了玻尔兹曼极限，该类二维半导体负电容场效应器件同时具备极低功耗、高速翻转等特点。 |
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