| 专利名称 | I掺杂的Cu?S基热电材料及其制备方法 | 申请号 | CN201611236855.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106587135A | 公开（授权）日 | 2017.04.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 陈海燕;赵世杰;杨康;陈小源 | 主分类号 | C01G3/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G3/12(2006.01)I;H01L35/16(2006.01)I | 专利有效期 | I掺杂的Cu?S基热电材料及其制备方法 至I掺杂的Cu?S基热电材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种I掺杂的Cu?S基热电材料及其制备方法，所述Cu?S基热电材料的化学通式为Cu2?xSIy，其中0≤x≤0.25，0.01≤y≤0.3，可以采用球磨?射频感应热压或水热合成??射频感应热压方法两种方法制备。本发明可获得稳定的高性能的Cu?S基热电材料，微量的I加入使本征的Cu2S单斜相转变为Cu1.96S四方相，而适量的碘加入导致材料在室温下即出现Cu2S六方相，使得材料具有较好的热电性能，最高ZT值达到1.6。同时，碘加入导致Cu2S在100℃附近的相变峰变弱直至消失，并且温度超过437℃时仍未发生中温六方相?高温立方相的转变，增强了材料在中高温区应用稳定性。本发明提供的两种Cu?S基热电材料的制备方法，流程简单、制备周期短、可控性好，能快速有效的制备高性能Cu?S热电材料，有利于规模化工业生产。 |
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