| 专利名称 | 具有锥形背散射层的GaAs薄膜太阳电池及其制备方法 | 申请号 | CN201510426718.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106374001A | 公开（授权）日 | 2017.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 卢建娅;陆书龙;谭明 | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/052(2014.01)I | 专利有效期 | 具有锥形背散射层的GaAs薄膜太阳电池及其制备方法 至具有锥形背散射层的GaAs薄膜太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有锥形背散射层的GaAs薄膜太阳电池，其特征在于，包括依次叠层设置于廉价衬底上的底电极、AlInP背散射层、GaInP背场层、p-GaAs基层、n-GaAs发射层、GaInP窗口层、GaAs接触层以及顶电极；其中，所述AlInP背散射层朝向所述底电极的一侧具有多个凸起的锥形结构。本发明还公开了如上所述GaAs薄膜太阳电池的制备方法。通过设置锥形背散射层以提高GaAs薄膜太阳电池的光电转换效率，采用廉价衬底，降低了电池的成本。 |
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