| 专利名称 | 一种高膜厚高电导率的PEDOT薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201610744324.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106297968A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈立东;石唯;姚琴;瞿三寅 | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高膜厚高电导率的PEDOT薄膜及其制备方法 至一种高膜厚高电导率的PEDOT薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高膜厚高电导率的PEDOT薄膜及其制备方法，以EDOT单体为原料，以含有弱碱性阴离子的高醇溶性铁盐FeX3为氧化剂，采用气相法或溶液法制备得到组成为PEDOT:X的PEDOT薄膜，其中X为高醇溶性的弱碱性阴离子，优选为樟脑磺酸根离子、长链烷基苯磺酸根离子、烷基萘磺酸根离子、二烷基萘磺酸根离子和二壬基萘二磺酸根离子中的至少一种。本发明利用前驱体铁盐氧化剂溶液的高醇溶性，提高旋涂液的浓度和粘度，抑制反应过程中氧化剂的结晶，无需添加共聚物抗结晶抑制剂（吡啶、PEPG等），从而获得高膜厚的PEDOT薄膜。 |
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