| 专利名称 | InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品 | 申请号 | CN201610361608.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105932106A | 公开（授权）日 | 2016.09.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 宋国峰;于海龙;吴浩越;徐云;朱海军 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品 至InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种InAs/InSb/GaSb/InSb?II类超晶格材料的制造方法及由此得到的产品，该方法包括：准备衬底，作为外延层的载体；对所述衬底进行除气、脱氧处理；在所述衬底上外延生长缓冲层和80?100个周期的InAs/InSb/GaSb/InSb结构的材料。本发明不需要任何元素浸泡过程，且通过插入InSb层而不是通过形成InSb界面来补偿应变，从而可以降低InAs/GaSb?II类超晶格材料MBE外延生长的复杂度；插入型InSb层可精确控制InSb生长厚度，没有元素浸泡过程可以降低V族元素腔内残留，减少InAs层生长时Sb原子的掺入，以及InSb和GaSb层生长时As原子的掺入。 |
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