| 专利名称 | 一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201610271978.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105762234A | 公开（授权）日 | 2016.07.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 叶继春;高平奇;曾俞衡;韩灿;廖明墩;王丹;于静 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I | 专利有效期 | 一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法 至一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是有关一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层介于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述掺杂薄膜硅层掺杂的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。本发明由于掺杂薄膜层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。相对于均匀掺杂的掺杂薄膜硅层，降低了掺杂薄膜硅层整体的掺杂浓度，从而有助于减少薄膜中的俄歇复合速率，避免产生磷化硅沉淀，增长少数载流子的寿命，进而增大太阳能电池的转换效率。 |
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