| 专利名称 | 四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电陶瓷的制备方法 | 申请号 | CN201410658653.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105645955A | 公开（授权）日 | 2016.06.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘锦峰;许桂生;杨丹凤;陈夏夏;朱秀;田彦锋 | 主分类号 | C04B35/475(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/475(2006.01)I;C04B35/472(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电陶瓷的制备方法 至四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电陶瓷的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电陶瓷的制备方法，所述四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电陶瓷的组成化学式为(1-x)Bi(Mg1/2Ti1/2)O3?-xPbTiO3，所述方法包括：1）称取金属氧化物粉末；2）先将步骤1）称量金属氧化物粉末均匀混合后进行成型处理得到压电陶瓷素坯，然后将压电陶瓷素坯在1000-1200℃烧结得到块体陶瓷；3）将步骤2）制备的块体陶瓷被覆上银电极或铂电极，在硅油中进行极化处理。 |
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