| 专利名称 | 五级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法 | 申请号 | CN201610140129.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105607435A | 公开（授权）日 | 2016.05.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张利斌;董立松;苏晓菁;韦亚一 | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F9/00(2006.01)I | 专利有效期 | 五级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法 至五级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种五级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法。在该五级衍射光栅结构包括晶圆以及形成于晶圆上的光栅图形结构。光栅图形结构由光栅精细结构单元组成，光栅精细结构单元的宽度为一个光栅周期，所述光栅精细结构单元在宽度方向上等分为20个区域，每个区域上设置有第一图形结构1st或第二图形结构2nd；1st和2nd在光栅图形结构的宽度方向上按照不同顺序排列形成不同的光栅精细结构单元，所述光栅精细结构单元为第一光栅精细结构单元、第二光栅精细结构单元或第三光栅精细结构单元。该光栅结构能够有效提高光栅的衍射光强，增大光刻时在对准光栅之上涂覆材料及其厚度的可选择范围，降低对准不确定性范围，提高精确对准精度。 |
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