可见光通信用倒装RCLED及其制备方法

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专利名称 可见光通信用倒装RCLED及其制备方法 申请号 CN201511005814.5 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN105609602A 公开(授权)日 2016.05.25 申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 杨超;赵丽霞;朱石超;刘磊;于治国;王军喜;李晋闽 主分类号 H01L33/10(2010.01)I IPC主分类号 H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 专利有效期 可见光通信用倒装RCLED及其制备方法 至可见光通信用倒装RCLED及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种可见光通信用倒装RCLED,所述倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板,LED芯片包括:芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层和p、n电极;所述倒装基板由下至上依次包括支撑衬底、绝缘层以及互相绝缘隔离的P、N电极焊盘;所述LED芯片通过金属焊球或共晶焊分别与所述倒装基板的P、N电极焊盘电连接。本发明有利于获得高品质因子的短腔长倒装RCLED,从而协同改善LED的频率响应和量子效率,满足光通信用高光效、高带宽的光源需求。

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