| 专利名称 | 一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法 | 申请号 | CN201510867591.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105609582A | 公开（授权）日 | 2016.05.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 顾溢;张永刚 | 主分类号 | H01L31/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/10(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法 至一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法，探测器以稀铋多量子阱作为吸收层，其中势阱层为p型稀铋III-V族材料，势垒层为不掺杂的不含铋III-V族材料。制备方法包括依次在衬底上生长p型高掺杂不含铋III-V族缓冲层、稀铋多量子阱结构吸收层以及p型高掺杂不含铋III-V族材料上接触层。本发明的探测器可以同时利用带间吸收和价带子带间吸收，增强对光的吸收，也可在太阳电池等利用光吸收的器件中进行应用，具有广泛的应用前景。 |
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