| 专利名称 | 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法 | 申请号 | CN201510952593.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105609585A | 公开（授权）日 | 2016.05.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈星佑;张永刚;顾溢;马英杰 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法 至一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，包括：采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层，用两个或以上气态源进行生长，III族束源为固态，束流由快门切换实现控制；V族束源为气态，由压力或流量调节V族束流强度或V-III比，获得组分递变过渡层。用本发明的材料生长方法获得的过渡层可以有效地缓解异质结器件中异质界面处的能带尖峰或晶格和组分突变对器件性能带来的负面效应，从而有利于提高器件性能或发展新型器件。 |
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