| 专利名称 | 一种合成具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料的方法 | 申请号 | CN201610802119.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106395872A | 公开（授权）日 | 2017.02.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 刘洪阳;王嘉;苏党生 | 主分类号 | C01F7/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01F7/02(2006.01)I;C01G23/04(2006.01)I;C01F5/02(2006.01)I;C01B32/186(2017.01)I;C01B32/162(2017.01)I | 专利有效期 | 一种合成具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料的方法 至一种合成具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料的方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种合成具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料的方法，属于纳米碳材料的合成技术领域。该方法是采用化学气相沉积方法，以乙腈作为碳源和氮源，在沉积基体表面制备具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料；所述化学气相沉积的温度为750?1000℃，沉积基体为惰性的金属氧化物或活性的FeMo/Al2O3催化剂。本发明方法具有普适性，能够在多种惰性基底纳米材料上生长出具有单一石墨氮物种掺杂的纳米碳材料，也能够在活性金属催化剂上生长出具有单一石墨氮物种掺杂的碳纳米管。此外，这种方法操作简单，能够进行批量制备，易于放大进行。 |
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