| 专利名称 | 一种制备钙钛矿太阳能电池空穴传输层用钴氧化物薄膜的方法 | 申请号 | CN201610877389.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106328821A | 公开（授权）日 | 2017.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 金平实;黄爱彬;李荣;周奕杰;包山虎 | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/50(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备钙钛矿太阳能电池空穴传输层用钴氧化物薄膜的方法 至一种制备钙钛矿太阳能电池空穴传输层用钴氧化物薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种制备钙钛矿太阳能电池空穴传输层用钴氧化物薄膜的方法，包括：以金属钴作为第一靶材、以氩气和氧气作为溅射气体，采用直流磁控共溅射法在基底表面沉积钴氧化物薄膜；其中，施加于所述第一靶材上的直流电源的功率为?100～700?W?或者功率密度为1.3～8.9?W/cm2；控制溅射气体的总压强为0.5～2.5?Pa，氧分压为50%以下；沉积时间为1～5分钟。本发明采用直流磁控共溅射法制备钴氧化物薄膜，并通过控制第一靶材的溅射功率或/和气氛压力，提高溅射腔体中沉积粒子的能量，从而可以获得具有不同二价钴离子与三价钴离子的比例的钴氧化物薄膜。 |
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