| 专利名称 | 单晶硅压力敏感膜片结构及其制作方法 | 申请号 | CN201510539992.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106477513A | 公开（授权）日 | 2017.03.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;王家畴 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 单晶硅压力敏感膜片结构及其制作方法 至单晶硅压力敏感膜片结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种单晶硅压力敏感膜片结构及其制作方法，所述的压力敏感膜片主要包括单晶硅敏感薄膜、单晶硅梁-岛和微型柱。其中，微型柱位于微型释放孔正上方且由一单晶硅环形柱包裹一多晶硅实心柱组成，多晶硅实心柱下半部分紧密嵌入在微型释放孔内部，上半部分竖直悬在单晶硅敏感薄膜上方。所述微型柱既满足了单晶硅敏感膜片微型释放孔的气密性缝合要求，又避免了微型释放孔侧壁残留钝化层内应力及热不匹配所导致的残余应力对单晶硅敏感膜片力学性能影响，提高了敏感膜片在不同温度环境下力学性能稳定性。本发明的敏感膜片可广泛应用于高精度、高稳定性MEMS力学传感器研发，且制作工艺简单，成本低，适于大批量生产要求。 |
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