| 专利名称 | 全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法 | 申请号 | CN201610893709.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106449854A | 公开（授权）日 | 2017.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 胡伟达;王建禄;郑定山;骆文锦;王鹏;陈效双;陆卫 | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法 至全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法。器件制备步骤是将CVD生长的InP纳米线物理转移到有SiO2氧化层的Si衬底上，利用电子束曝光技术制作源、漏和侧栅电极，并旋涂铁电聚合物薄膜，制备成具有侧栅结构的铁电侧栅纳米线光电探测器。利用独特的侧栅器件结构，并通过铁电聚合物材料负向极化所产生的超强静电场来完全耗尽纳米线沟道中因缺陷或陷阱所产生的本征载流子，从而显著降低了探测器在无栅压下的暗电流，大幅提高了器件的信噪比和探测能力。铁电材料调控下的单根InP及CdS纳米线光电探测器在近红外及可见光波段均显示了超高的探测率。本发明的优点是暗电流低，探测率高，功耗低和响应快。 |
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