| 专利名称 | 一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器 | 申请号 | CN201610847176.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106299015A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 马英杰;张永刚;顾溢;陈星佑 | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 专利有效期 | 一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器 至一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器，在半导体雪崩光电探测器的倍增层中包含有若干层量子点层，所述量子点层具有比倍增层更窄的禁带宽度，且与倍增层材料形成I型能带结构。本发明增益系数显著提升、过剩噪声得到抑制，可广泛应用于增强Si?Ge、GaAs?InAs、InP?InGaAs、InAlAs?InGaAs、GaAs?AlSb等不同波段的雪崩探测器性能，提升高速光通讯、单光子计数、激光雷达、量子信息等雪崩探测器系统的应用水平。 |
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