| 专利名称 | 一种晶硅太阳电池贱金属正面电极及其制备方法 | 申请号 | CN201610649477.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106098808A | 公开（授权）日 | 2016.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 李涛;王文静 | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种晶硅太阳电池贱金属正面电极及其制备方法 至一种晶硅太阳电池贱金属正面电极及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种晶硅太阳电池贱金属正面电极，该晶硅太阳电池正面电极为贱金属复合电极，底层为阻扩散层镍电极，中层为导电层铜电极，顶层为抗氧化层铝锡电极。制备晶硅太阳电池贱金属正面电极的方法采用纳米镍粉、纳米铜粉、纳米铝粉、纳米锡粉贱金属颗粒替代银粉作为导电功能相，结合玻璃粉和有机载体调控浆料粘结、触变性、流变性性能，在晶硅太阳电池正面依次预置镍浆、铜浆和铝锡浆，依次烘干后制得阻扩散层镍电极、导电层铜电极和抗氧化层铝锡电极，低温烧结后制得镍/铜/铝锡贱金属复合电极，替代贵金属银电极。 |
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