| 专利名称 | 钴掺杂硫化钨纳米片、其制备方法及电化学析氢的用途 | 申请号 | CN201610266686.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105948126A | 公开（授权）日 | 2016.09.21 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 何军;陶非克·艾哈迈德·希法;程中州 | 主分类号 | C01G41/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G41/00(2006.01)I;C01G51/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;C25B1/04(2006.01)I;C25B11/06(2006.01)I | 专利有效期 | 钴掺杂硫化钨纳米片、其制备方法及电化学析氢的用途 至钴掺杂硫化钨纳米片、其制备方法及电化学析氢的用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种化学气相沉积方法制备钴掺杂硫化钨纳米片的方法，及该钴掺杂硫化钨纳米片在电化学析氢的用途，属于无机半导体纳米材料技术领域。本发明以硫化钨纳米片和氧化钴纳米线为原料，通过化学气相沉积(CVD)方法制备钴掺杂硫化钨纳米片。本发明所合成的CoxW(1?x)S2纳米片具有化学性稳定、结晶性好和高电化学活性面积等优点；同时本发明的制备工艺简单，操作方便、成本低廉；本发明的钴掺杂硫化钨纳米片电化学析氢性能良好、稳定性好，可用于电解水制氢相关领域。 |
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