| 专利名称 | 一种近红外探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201610344859.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105895728A | 公开（授权）日 | 2016.08.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 张志伟;繆国庆;宋航;黎大兵;蒋红;李志明;陈一仁;孙晓娟 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种近红外探测器及其制备方法 至一种近红外探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种近红外探测器及其制备方法，其中，所述近红外探测器包括：衬底；位于所述衬底表面的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的吸收层；位于所述吸收层背离所述缓冲层一侧的窗口层；所述窗口层为二硫化钼层。二硫化钼可表现出P型半导体的性质，且在近红外波段具有很好的透光性，使其可以作为所述近红外探测器的窗口层；更为重要的是，所述二硫化钼层在近红外波段可以产生显著的表面等离激元效应，从而增强所述近红外探测器对入射近红外光的吸收(增强光捕获作用)，进而提高所述近红外探测器的量子效率。 |
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