专利名称 | 一种成像光谱仪CCD光谱图像暗电流校正方法 | 申请号 | CN201610349684.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN105841815A | 公开(授权)日 | 2016.08.10 | 申请(专利权)人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明(设计)人 | 张泉;司福祺 | 主分类号 | G01J3/28(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J3/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种成像光谱仪CCD光谱图像暗电流校正方法 至一种成像光谱仪CCD光谱图像暗电流校正方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种成像光谱仪CCD光谱图像暗电流校正方法,首先将CCD光谱维暗像元响应平均值作为对应空间维平均暗电流,形成整个像面的平均暗电流。然后,根据不同亮度下光谱图像计算出暗像元响应非均匀性校正矩阵。将像面平均暗电流与暗像元校正矩阵相加得到像面实际暗电流。最后通过扣除实际暗电流实现CCD光谱图像暗电流校正。本发明实现了基于CCD暗像元的光谱图像暗电流校正,消除了暗信号响应非均匀性噪声,方法可靠且简单易行,有利于提高成像光谱仪成像质量。 |
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